Permukaan Mount Sinyal Kecil Schottky Diode Schottky Barrier Diode BAS48 Minin Melf

Semua produk

Dioda Termistor (17)

DIAC Trigger Diode (13)

Diode Penyearah Serba Guna (25)

Zener Diode (31)

TVS Transient Voltage Suppressor Diode (10)

Diode Tegangan Tinggi (11)

SIDAC Diode (10)

Diode Pemulihan Cepat Penyearah (17)

Diode Penyearah Pemulihan Ultra Cepat (10)

Diode Penyearah Efisiensi Tinggi (10)

Diode Switching Berkecepatan Tinggi (23)

Penghalang Schottky dioda (39)

Diode Schottky Sinyal Kecil (16)

Penyearah Jembatan Dioda (22)

Termistor NTC (16)

I 'm Online Chat Now

Name: Permukaan Mount Sinyal Kecil Schottky Diode Schottky Barrier Diode BAS48 Minin Melf
Brand: XUYANG
SKU: BAS48

Kontak

Detil Deskripsi produk

Nomor bagian:	BAS48	VR:	40V
Paket:	SOD-80 / LL-34	SPQ:	2500PCS
Saat ini ke depan:	350mA	Suhu Junction:	125 ℃
Cahaya Tinggi:	1n914 switching diode , 1n914 blocking diode

Mount Mount Sinyal Kecil Schottky Barrier Diode BAS48 Minin Melf

fitur

1. Keandalan tinggi
2. Tegangan maju sangat rendah
3. Jenis pemasangan permukaan kecil

Aplikasi:

Aplikasi yang membutuhkan tegangan maju sangat rendah

Peringkat Maksimum Mutlak

Tj = 25 ℃

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tegangan balik puncak berulang yang berulang	VRRM	40	V
Maju Arus Terus Menerus di Tamb = 25 ° C	JIKA	350	ma
Puncak Maju Berulang Saat Ini pada tp <1 s, d <0,5, Tamb = 25 ° C	IFRM	1	SEBUAH
Surge Forward Current pada tp <10 ms, Tamb = 25 ° C	IFSM	7,5 ¹⁾	SEBUAH
Tamb = 25 ° C IFSM 7.51) A Disipasi Daya1) pada Tamb = 65 ° C	P. _tot	330 ¹⁾	mW
Suhu persimpangan	Tj	125	℃
Kisaran Suhu Operasi Sekitar	Tamb	-65 ~ + 125	℃
Kisaran suhu penyimpanan	Tstg	-65 ~ + 150	℃

Tekanan yang melebihi peringkat maksimum dapat merusak perangkat. Peringkat maksimum adalah stres

peringkat saja. Operasi fungsional di atas kondisi operasi yang disarankan tidak tersirat.

Pemaparan yang berlebihan terhadap tekanan di atas kondisi pengoperasian yang disarankan dapat memengaruhi perangkat

keandalan.

Karakteristik Listrik (TJ = 25 ° C kecuali dinyatakan lain)

	Simbol	Min	Ketik	Maks	Satuan
Tegangan Kerusakan Terbalik diuji dengan 100 mA Pulsa	V (BR) R	40			V
Tegangan Maju Tes Pulsa tp <300 ms, d <2% pada IF = 0,1 mA pada IF = 10 mA pada IF = 250 mA	VF VF VF			0,25 0,40 0,90	V V V
Kebocoran arus Tes Pulsa tp <300 ms, d <2% pada VR = 10 V pada VR = 10 V, Tj = 60 ° C pada VR = 20 V pada VR = 20 V, Tj = 60 ° C pada VR = 40 V pada VR = 40 V, Tj = 60 ° C	IR IR IR IR IR IR			2 15 5 25 25 50	ma ma ma ma ma ma
Kapasitansi pada VR = 1 V, f = 1 MHz	Ctot		12		pF
Perlawanan Perlawanan Termal ke Udara Sekitar	RTHJA			0,3	K / mW