Tujuan Umum Diode Sinyal Switch Cepat Kecil 1N4448 Dengan Kasus DO-35

Semua produk

Dioda Termistor (17)

DIAC Trigger Diode (13)

Diode Penyearah Serba Guna (25)

Zener Diode (31)

TVS Transient Voltage Suppressor Diode (10)

Diode Tegangan Tinggi (11)

SIDAC Diode (10)

Diode Pemulihan Cepat Penyearah (17)

Diode Penyearah Pemulihan Ultra Cepat (10)

Diode Penyearah Efisiensi Tinggi (10)

Diode Switching Berkecepatan Tinggi (23)

Penghalang Schottky dioda (39)

Diode Schottky Sinyal Kecil (16)

Penyearah Jembatan Dioda (22)

Termistor NTC (16)

I 'm Online Chat Now

Name: Tujuan Umum Diode Sinyal Switch Cepat Kecil 1N4448 Dengan Kasus DO-35
Brand: XUYANG
SKU: 1N4448

Kontak

Detil Deskripsi produk

Nama:	Switching diode	Nomor bagian:	1N4448
VR:	75V	Kasus:	DO-35
Suhu Junction:	175 ° C	Suhu Penyimpanan:	–65 hingga + 175 ° C
Cahaya Tinggi:	ultra fast switching diode , small signal switching diode

1N4448 High Speed Switching Diode Small Single Diode Dengan DO-35 Case

fitur

• Silicon Epitaxial Planar Diode

• Dioda switching cepat.

• Dioda ini juga tersedia dalam gaya case lainnya termasuk case SOD-123 dengan tipe

penunjukan 1N4448W, kasus MiniMELF dengan tipe penunjukan LL4148, SOT-23

case dengan tipe penunjukan IMBD4148.

Data Mekanis

Kasing: DO-35 Kasing Kaca

Berat: kira-kira 0.13g

Peringkat Maksimum dan Karakteristik Termal (TA = 25 ° C kecuali dinyatakan lain)

Parameter	Simbol	Membatasi	Satuan
Tegangan terbalik	VR	75	V
Tegangan Terbalik Puncak	VRM	100	V
Rata-rata saat ini diperbaiki Perbaikan Gelombang Setengah dengan Beban Resistif pada Tamb = 25 ° C	JIKA (AV)	150	ma
Surge Forward Current pada t <1s dan Tj = 25 ° C	IFSM	500	ma
Pemborosan Daya pada Tamb = 25 ° C	Ptot	500	mW
Perlawanan Perlawanan Termal ke Udara Sekitar	RθJA	350	° C / W
Suhu persimpangan	Tj	175	° C
Suhu penyimpanan	TS	–65 hingga +175	° C

Karakteristik Listrik (TJ = 25 ° C kecuali dinyatakan lain)

Parameter	Simbol	Tes kondisi	Min	Ketik	Maks	Satuan
Tegangan Maju	VF	JIKA = 5mA JIKA = 100mA	0,62 -	- -	0,70 1.0	V
Kebocoran arus	IR	VR = 20V VR = 75V VR = 20V, TJ = 150 ° C	- - -	- - -	25 5 50	tidak μA μA
Tegangan Kerusakan Terbalik	V (BR) R	IR = 100ìA (berdenyut)	100	-	-	V
Kapasitansi	Ctot	VF = VR = 0V	-	-	4	pF
Membalikkan Waktu Pemulihan	trr	JIKA = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ù	-	-	4	ns
Efisiensi Perbaikan	nv	f = 100MHz, VRF = 2V	0,45	-	-	-